2023-06-02 22:33:10 | 寻车网
近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。
据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiC MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiC MOSFET。
SiC广泛应用于新一代电控单元、逆变器、DC-DC变换器以及车载充电器中,据预测,到2020年,电子半导体市场的全球规模将达到431亿美元,到2024年将超过500亿美元。
日前,有网友拍摄到了比亚迪全新SUV路试车的谍照,新车上下都被厚重的伪装车衣覆盖,并没有办法直观判断出是哪款新车,但参考比亚迪的规划,新车或是来自于军舰系列。寻车网
从谍照中可以看出,新车是一副标准的SUV体型,中网部分采用横状的装饰饰条,这也是军舰系列新的设计元素。此前,比亚迪曾经有一台全新SUV的专利图曝光,结合谍照来看,预计就是该台新车。
此前,比亚迪已经注册了多个与“军舰”相关的名称,例如驱逐舰、巡洋舰、战列舰、登陆舰、护卫舰等。新车目前名称并未对外公开,参考驱逐舰05命名方式,或许全新SUV会被命名为巡洋舰05、战列舰05等。
比亚迪唐DM-p8月25日上市补贴后预售29.28万起 日前,从相关渠道获悉,比亚迪唐DM-p将于8月25日上市,此前其已经开启预售,预售价综合补贴后29.28-33.28万元,除了搭载DM-p系统外,最大亮点是采用6座布局。外观方面,众所周知,比亚迪为不同的车型设置了不同造型风格以示区分,因此,不同于唐EV全封闭格栅及唐DM-i的横幅式格栅饰条,唐DM-p整体沿袭了汉DM-P的设计,采
创维HT-i将于9月5日上市搭比亚迪DM-i系统我们从相关渠道获悉,创维HT-i将于9月5日上市。作为创维汽车打造的第二款车型,新车最大亮点在于搭载比亚迪DM-i插混系统,官方公布的新车纯电续航里程200km,综合续航里程1267km。创维HT-i车型在造型及内饰方面延续了与创维EV6的家族化设计语言,其中造型针对下包围进行了重新设计,看上去视觉效果更为突出,这也是区分创维HT-i与创维
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
新款比亚迪宋MAX申报图曝光前脸造型小改/搭1.5T动力近日,我们从国家工信部官网获取了一组新款比亚迪宋MAX的申报图,新车采用“DragonFace”设计理念的前脸部分和尾部都有些变化,进气格栅、前杠和尾灯的造型都有所改变。动力系统方面没有变化,主力仍旧是1.5T发动机。新款比亚迪宋MAX现款比亚迪宋MAX新款比亚迪宋MAX的进气格栅和前杠样式有所改变,前杠部位增加了镀铬装饰,提升了时尚感,
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
2023-09-16 10:19:17
2023-09-23 08:16:42
2023-10-06 15:39:20
2023-10-15 03:10:38
2023-10-19 22:54:26
2023-10-09 20:23:51