2023-06-02 22:42:37 | 寻车网
近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。
据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiC MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiC MOSFET。
SiC广泛应用于新一代电控单元、逆变器、DC-DC变换器以及车载充电器中,据预测,到2020年,电子半导体市场的全球规模将达到431亿美元,到2024年将超过500亿美元。寻车网
日前,从相关渠道获悉,湖北省襄阳市与比亚迪签署战略合作框架协议,比亚迪将加快推进襄阳比亚迪产业园项目建设,助力湖北打造国家级新能源与智能网联汽车产业基地。
据了解,襄阳比亚迪产业园主要包括动力电池生产线及零部件、零碳园区、 新能源汽车零部件等项目。产业园将分三期建设,一期总投资100亿元。
一期将建设30GWh动力电池及零部件项目,主要从事动力电池电芯、模组以及相关配套产业等核心产品的研发、生产与制造,二期建设零碳园区,重点引进正/负极材料、隔膜纸、电解液等配套商,三期重点推进新能源汽车零部件比如电机、电控、空调等项目。
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
比亚迪唐DM-p8月25日上市补贴后预售29.28万起 日前,从相关渠道获悉,比亚迪唐DM-p将于8月25日上市,此前其已经开启预售,预售价综合补贴后29.28-33.28万元,除了搭载DM-p系统外,最大亮点是采用6座布局。外观方面,众所周知,比亚迪为不同的车型设置了不同造型风格以示区分,因此,不同于唐EV全封闭格栅及唐DM-i的横幅式格栅饰条,唐DM-p整体沿袭了汉DM-P的设计,采
创维HT-i将于9月5日上市搭比亚迪DM-i系统我们从相关渠道获悉,创维HT-i将于9月5日上市。作为创维汽车打造的第二款车型,新车最大亮点在于搭载比亚迪DM-i插混系统,官方公布的新车纯电续航里程200km,综合续航里程1267km。创维HT-i车型在造型及内饰方面延续了与创维EV6的家族化设计语言,其中造型针对下包围进行了重新设计,看上去视觉效果更为突出,这也是区分创维HT-i与创维
比亚迪或将打造R2超级轿跑2.9秒破百近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪或将打造一款超级轿跑车型,该车型的代号为R2,0-100km/h加速时间仅为2.9秒。此外,比亚迪还有望推出R系列车型,将与王朝还有e系列组成产品矩阵。根据曝光的信息来看,R2定位超级轿跑,新车搭载了前后双电机,车辆的百公里加速时间为2.9s。其中前驱电机最大功率110kW,最大扭矩180N·m,后驱电机最大功率170kW,
电动汽车应用广泛比亚迪明年或将建造碳化硅生产线近日,我们从相关渠道获悉,比亚迪预计将于明年推出一条自行建造的碳化硅(SiC)生产线,计划正在进行中。这种材料不仅在电动汽车上有着广泛的应用,而且有很大的市场前景。据悉,比亚迪的汽车级IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiCMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已分别发展到第五代和第三代。而公司目前正在开发第四代SiCMOSFET。SiC广泛应用
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